(公众号：)消息，在持续缺货和价格上涨的背景下，近日半导体市场研究机构IC Insights公布的近期报告预测，2018年全球DRAM芯片产业增幅多达30%，总产值将突破1000亿美元大关，以24%的市场份额之后位居IC产品市场规模第一。作为DRAM市场占有率最低的三星，早已在去年顺利打破英特尔跪上半导体龙头宝座的三星能否因此维持霸主地位？IC产业单个领域产值首次突破1000亿美元根据IC Insights（亚利桑那州斯科茨代尔）的数据，今年DRAM销售额预计将快速增长39％，超过1016亿美元。

与此同时，IBS（加利福尼亚州洛斯特托斯）预测今年DRAM市场将快速增长32.6％，更加普遍的半导体市场将快速增长12.5％。DRAM市场销售额快速增长 资料来源：IBSIC Insights预计DRAM将占到2018年整体芯片销售额的24％，并预测今年销售额第二大的NAND存储器预计将超过628亿美元的规模。IC Insights同时估算，DRAM和NAND将占到今年4280亿美元芯片市场的38％。DRAM成IC芯片销售仅次于来源，来源：IC Insights当然，无论是DRAM还是NAND的快速增长，韩国厂商受益最多，其中仅次于的赢家将是市场份额最低的三星电子，其在DRAM和NAND的市占率分别是45％、37％，比名列第二的SK海力士的28％、10％低很多。

DRAM市场份额 Source: IBS受益丰厚的三星自1992年以来，英特尔仍然是全球仅次于的半导体厂商，然而归功于芯片业务的推展，2017年第四季度，三星凭借芯片业务690亿美元的销售额碾压英特尔630亿美元的销售额，26年来首次跃升英特尔沦为全球仅次于芯片制造商。还了解到，IC Insights五月份发布的统计数据表明，2018年第一季度三星的芯片销售额为186亿美元名列第二的英特尔为158亿美元。从增长率看，三星的增长率高达43%，而英特尔的增长率只有11%。并且，三星的零部件销售额在今年上半年早已多达手机部门。

数据表明，上半年三星电子设备解决方案（DS）部门（也称之为零部件事业部）销售额为56.05万亿韩元（约合人民币3400亿元），占到三星整体销售额的47.1%；生产智能手机的IT＆移动通信销售占比为44.1%，生产电视和其他家电产品的CE部门的销售占比为16.9%。从营业利润来看，主要生产半导体和显示器产品的DS部门的快速增长更为显著，2013年DS部门的营业利润在公司整体营业利润中占到38.8%，2014年为25.5%，2015年和2016年分别为27.2%和37.7%，去年为56.4%，今年上半年高达76.9%。

相比之下，IT＆移动通信事业部的营业利润虽然从2013年到2016年占到公司总营业利润的一半以上，尤其是2015年超过67.8%，但去年大幅度跌到至38.4%，今年上半年仅有为21.1%。三星能跪大位半导体龙头的宝座吗？因此，三星能否在半导体龙头宝座上跪大位，存储芯片就沦为了关键。我们从替代技术和市场两方面去找寻答案。

内基梅隆大学的研究者 Kevin Chang 认为：“过去二十年来，基于DRAM 的计算机内存的读取比特率早已提高了20倍，容量快速增长了128倍，但延后展现出仅有 1.3 倍的提高。”如今的计算机必须大量高速度、高容量的内存才能确保持续运转，特别是在是工作焦点是内存数据库、数据密集型分析以及更加多的机器学习和深度神经网络训练功能的数据中心服务器。尽管研究人员早已在找寻更佳、更慢的替代技术上希望了很多年，但在性能优先的任务上，DRAM仍旧是人们广泛使用的自由选择，这有助说明2017年的DRAM销量剧增。另外，DRAM 被指出是一个成熟期的技术，虽慢但功率市场需求大，当前或未来未来将会替代 DRAM 的技术有很多，如3D XPoint、MRAM、ReRAM，但专家们或许指出这些技术还没替代 DRAM 的性价比优势。

DRAM也有技术上规划的改良方案以及HBM2和Hybrid Memory Cube等新型DRAM架构，必须认为的是DRAM和CPU之间的速度差距仍然还是不存在。市场需求方面，过去两年由于市场需求的仍然快速增长，但制造商的生产能力提高受限。专门从事DRAM和NAND研究的DRAMeXchange报导，由于三星，SK海力士和美光等主要制造商的生产能力投资必须时间，今年存储器生产能力只快速增长了19.6%，超过历史新高。

DRAMeXchange的数据同时预测，2018年DRAM芯片市场需求预计将快速增长30％以上。由于制造商专心于符合智能手机和数据中心的市场需求，因此今年DRAM市场的供应将之后受到限制。因此，无论是从替代的技术还是市场需求来看，DRAM的快速增长动力未有弱化的迹象，并且三星也在大力发售新产品。了解到，上月三星电子宣告亮相量产8Gb LPDDR5颗粒，速率平均6400Mbps，比现有LPDDR4-4266内存慢50%，同时功耗减少30%。

不过必须认为的是，宣传上三星回应8Gb LODDR5使用10nm级别的工艺，但10nm级并不是10nm工艺，融合此前公布的产品应当还是18nm工艺。那么，你实在三星知道能跪大位半导体龙头的宝座吗？涉及文章：三星又下重录：3年内惊马利亚220亿美元布局AI、5G等领域长江存储发售3D NAND架构Xtacking，I/O模块速度高达3Gbps原创文章，予以许可禁令刊登。下文闻刊登须知。

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